型号:IDT70V3389S6PRF8 | 类别:存储器 | 制造商:IDT, Integrated Device Technology Inc |
封装:128-LQFP | 描述:IC SRAM 1.125MBIT 6NS 128TQFP |
详细参数
类别 | 存储器 |
---|---|
描述 | IC SRAM 1.125MBIT 6NS 128TQFP |
系列 | - |
制造商 | IDT, Integrated Device Technology Inc |
格式_存储器 | RAM |
存储器类型 | SRAM - 双端口,同步 |
存储容量 | 1.125M(64K x 18) |
速度 | 6ns |
接口 | 并联 |
电压_电源 | 3.15 V ~ 3.45 V |
工作温度 | 0°C ~ 70°C |
封装/外壳 | 128-LQFP |
供应商器件封装 | 128-TQFP(14x20) |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
深圳市毅创腾电子科技有限公司 | 张小姐86-755-83219286 (FPGA原厂渠道)// 83210909 (CPLD原厂渠道) |
中科航芯(深圳)科技有限公司 | 李18927479189 |
北京首天伟业科技有限公司 | 刘经理086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791 |
深圳市昌和盛利电子有限公司 | 朱生/李小姐0755-83679110 0755-23125986 |
北京青山盛世电子技术有限公司 | 李小姐086-010-82610856 |
北京显周科技有限公司 | 刘先生13910052844(微信同步) |
北京人上科技有限公司 | 刘先生13910052844(微信同步) |
IDT70V3389S6PRF8相关型号
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薄膜
Cornell Dubilier Electronics (CDE)
径向
CAP FILM 0.022UF 100VDC RADIAL
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固定式
Vishay Dale
INDUCTOR POWER 220UH .46A SMD
- LGX2H101MELZ40
电容器
Nichicon
径向,Can - 卡入式
CAP ALUM 100UF 500V 20% SNAP
- DS1110LE-100+
时钟/计时 - 延迟线
Maxim Integrated
14-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
IC DELAY LINE 10TAP 14-TSSOP
- IDT70V3389S5BCI8
存储器
IDT, Integrated Device Technology Inc
256-LBGA
IC SRAM 1.125MBIT 5NS 256BGA
- GRM31M6T2A471JD01L
陶瓷
Murata Electronics North America
1206(3216 公制)
CAP CER 470PF 100V 5% T2H 1206
- DTS090133SUDC-Z5N
AC DC 桌面、壁式变压器
CUI Inc
TRANSF 9VDC 1330MA P5 NEG C
- IMC1812BN151J
固定式
Vishay Dale
1812(4532 公制)
INDUCTOR WW 150UH 5% 1812
- DSF100J333
薄膜
Cornell Dubilier Electronics (CDE)
径向
CAP FILM 0.033UF 100VDC RADIAL
- IHSM4825ER270L
固定式
Vishay Dale
INDUCTOR POWER 27UH 1.6A SMD
- LGX2H680MELZ30
电容器
Nichicon
径向,Can - 卡入式
CAP ALUM 68UF 500V 20% SNAP
- DS1110S-100
时钟/计时 - 延迟线
Maxim Integrated
16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
IC DELAY LINE 10TAP 16-SOIC
- IDT70V3389S5PRF8
存储器
IDT, Integrated Device Technology Inc
128-LQFP
IC SRAM 1.125MBIT 5NS 128TQFP
- DTS090166UDC-P7/RN
AC DC 桌面、壁式变压器
CUI Inc
TRANSF 9VDC 1660MA P7 RA NEG
- IMC1812BN1R0K
固定式
Vishay Dale
1812(4532 公制)
INDUCTOR WW 1.0UH 10% 1812
- GRM31M7U1H104JA01L
陶瓷
Murata Electronics North America
1206(3216 公制)
CAP CER 0.1UF 50V 5% U2J 1206
- IHSM4825ER5R6L
固定式
Vishay Dale
非标准
INDUCTOR POWER 5.6UH 3.8A SMD
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薄膜
Cornell Dubilier Electronics (CDE)
径向
CAP FILM 0.33UF 100VDC RADIAL
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时钟/计时 - 延迟线
Maxim Integrated
16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
IC DELAY LINE 10TAP 16-SOIC
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电容器
Nichicon
径向,Can - 卡入式
CAP ALUM 82UF 500V 20% SNAP
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固定式
Vishay Dale
1812(4532 公制)
INDUCTOR WW 220UH 5% 1812
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Murata Electronics North America
1206(3216 公制)
CAP CER 7500PF 50V 5% U2J 1206
- DTS090166UDC-P9P
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TRANSF 9VDC 1660MA P9 POS C
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16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
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- GRM31M7U2A242JZ01L
陶瓷
Murata Electronics North America
1206(3216 公制)
CAP CER 2400PF 100V 5% U2J 1206
- IDT70V3399S133BC8
存储器
IDT, Integrated Device Technology Inc
256-LBGA
IC SRAM 2MBIT 133MHZ 256BGA
- IMC1812BN2R2K
固定式
Vishay Dale
1812(4532 公制)
INDUCTOR WW 2.2UH 10% 1812
- DTS090220UDC-P12/RP
AC DC 桌面、壁式变压器
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TRANSF 9VDC 2200MA P12 RA POS
- DSF100J563
薄膜
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径向
CAP FILM 0.056UF 100VDC RADIAL
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固定式
Vishay Dale
非标准
INDUCTOR POWER 10UH 3.1A SMD
- LGY1C123MELA30
电容器
Nichicon
径向,Can - 卡入式
CAP ALUM 12000UF 16V 20% SNAP
- DS1135LU-10
时钟/计时 - 延迟线
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8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
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- IDT70V3399S166BC
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- GRM31M7U2A362JZ01L
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1206(3216 公制)
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- IMC1812BN390K
固定式
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1812(4532 公制)
INDUCTOR WW 39UH 10% 1812
- DTS090220UDC-P7N
AC DC 桌面、壁式变压器
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TRANSF 9VDC 2200MA P7 NEG C
- DSF100J823
薄膜
Cornell Dubilier Electronics (CDE)
径向
CAP FILM 0.082UF 100VDC RADIAL